
ООО «Сучжоу Цзяганг Полупроводники»
ООО «Сучжоу Цзяганг Полупроводники» была основана 17 декабря 2019 года. Это ограниченная ответственность компания, расположенная в городе Чжанцзяганг области Сучжоу, относящаяся к категории малых и микропредприятий в сфере производства, а также являющаяся высокотехнологическим предприятием.
Первый этап инвестиций составил 480 миллионов юаней. Площадь предприятия составляет 55 мю (около 36 667 квадратных метров), общая площадь строительных объектов — 71 000 квадратных метров, включая 16 000 квадратных метров чистых зон и 13 000 квадратных метров вспомогательных производственных помещений.
Основные направления деятельности связаны с полупроводниками и новыми материалами, включая разработку технологий, консультирование, передачу технологий и оказание услуг; производство, обработку и продажу полупроводниковых дисперсных приборов, светодиодных приборов, электротехнических и электроники компонентов; услуги по тестированию новых материалов и полупроводниковых дисперсных приборов; обучение взрослых без получения профессиональных сертификатов, а также информационные технологии. Компания располагает полным производственным цепочкой эпитаксии MOCVD, включая производственные и исследовательские установки разных спецификаций, предназначенные для производства приборов на основе галлия арсенита (GaAs) и индия фосфида (InP). Также создана платформа для услуг по тестированию эпитаксии, которая может проводить анализы, такие как измерение количества частиц на поверхности эпитаксиальных пластин, квадратного сопротивления, подвижности и структуры материалов, и предоставляет внешним клиентам соответствующие технические услуги.
Должность: Инженер по исследованиям и разработкам
Обязанности:
- Тестирование характеристик продукции: Выполнение тестирования характеристик продукции, таких как монокристаллические подложки из оксида галлия, в соответствии с отраслевыми и корпоративными стандартами. Проведение исследований кристаллической структуры (анализ рентгеновской дифракции), электрических характеристик (тестирование тока и напряжения) и других видов контроля, фиксация и анализ данных, формирование отчетов для поддержки оптимизации продукции.
- Исследование передовых технологий: Отслеживание тенденций в отрасли, разработка новых технологических тем по материалам из оксида галлия и их приборам в соответствии с корпоративной стратегией, организация экспериментальных работ для решения ключевых задач, участие в отраслевых обменах для повышения технологического конкурентоспособности компании.
- Сотрудничество в разработке продукции: Участие в полном цикле разработки продукции — от предоставления технических рекомендаций на этапе концептуального проектирования до обратной связи по проблемам при тестировании прототипов и помощи в их оптимизации, с целью успешной индустриализации продукции.
Требования :
- Профессиональный фон и знания: Докторская степень и выше по направлениям, связанным с физикой полупроводников, материалами и т.д. Владение ядровыми знаниями в области физики полупроводников, принципов работы приборов, знакомство с технологиями роста материалов, производства приборов и тестирования, глубокое понимание области оксида галлия, наличие прочной теоретической базы.
- Опыт работы: не менее 3 лет.
- Английский язык (письменный и устный)